智能孔板流量計的研究與探討 五十七

鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這一特殊材料使得鐵電存儲產(chǎn)品同時擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲產(chǎn)品的特性。鐵電晶體的工作原理是：當(dāng)把電場加載到鐵電晶體材料上，晶陣中的中心園子會沿著電場方向運(yùn)動，到達(dá)穩(wěn)定狀態(tài)，晶陣中的中心圓子只有兩個穩(wěn)定狀態(tài)。一個用于記憶邏輯中的0，另一個記憶1，中心原子能在常溫，沒有電場的情況下停留在此狀態(tài)達(dá)100年以上。它與其他非易失性存儲器比較，具有如下優(yōu)點：讀取速度快，沒有寫等待時間；功耗低，擦寫次數(shù)多，使用壽命長，芯片的擦寫次數(shù)為100億次，比一般的EEPROM存儲器高lO萬倍，即使每秒讀寫次數(shù)高達(dá)30次，也能用lO年以上。

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