電磁流量計轉換器的研制與開發(fā) 三十四

 電磁流量計為了執(zhí)行內(nèi)部程序指令，EA應該接VCC。 在flash編程期間，EA也接收12伏VPP電壓。 XTAL1:振蕩器反相放大器和內(nèi)部時鐘發(fā)生電路的輸入端。 XTAL2:振蕩器反相放大器的輸出端。 存儲器結構 MCS-51器件有單獨的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。外部程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器都可以 64K尋址。 程序存儲器：如果EA引腳接地，程序讀取只從外部存儲器開始。 對于89S52，如果EA 接VCC，程序讀寫先從內(nèi)部存儲器（地址為0000H～1FFFH）開 始，接著從外部尋址，尋址地址為：2000H~FFFFH。 數(shù)據(jù)存儲器：AT89S52 有256 字節(jié)片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲器。高128 字節(jié)與特殊功能寄存器重 疊。也就是說高128字節(jié)與特殊功能寄存器有相同的地址，而物理上是分開的。 當一條指令訪問高于7FH 的地址時，尋址方式?jīng)Q定CPU 訪問高128 字節(jié)RAM 還是特 殊功能寄存器空間。直接尋址方式訪問特殊功能寄存器（SFR）。 例如，下面的直接尋址指令訪問0A0H（P2口）存儲單元 MOV 0A0H , #data 使用間接尋址方式訪問高128 字節(jié)RAM。例如，下面的間接尋址方式中，R0 內(nèi)容為 0A0H，訪問的是地址0A0H的寄存器，而不是P2口（它的地址也是0A0H）。 MOV @R0 , #data 堆棧操作也是簡介尋址方式。因此，高128字節(jié)數(shù)據(jù)RAM也可用于堆�？臻g。

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